慧荣：AI推理需求爆发，预估明年DRAM与NAND Flash将继续短缺

格隆汇11月3日｜台湾存储器控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章指出，AI推理需求爆发，带动全球存储器市场进入结构性缺货阶段，预估2026年DRAM与NAND Flash都将呈现全年性短缺。微软、谷歌、亚马逊与Meta等云端服务供应商(CSP)纷纷投入AI推理领域，带动高频宽存储器(HBM)需求急速成长，且由于供应商将产能转向HBM制造，使传统DDR4产能被排挤，市场供不应求。他预估，DRAM市场在2026年将缺货一整年，不过随着三星、SK 海力士与美光新厂陆续投产，2027年有望出现缓解迹象。